[9a-N105-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[9a-N105-5] p型SnO薄膜特性のスパッタリング成膜時酸素分圧依存

〇大谷 知輝¹、安藤 昌輝¹、伊藤 佑太^1,2、西原 達平^3,4、小椋 厚志^1,3 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.明大MREL、4.JASRI)

キーワード：

p型SnO、薄膜

SnOはn型酸化物半導体を補完するp型材料として次世代デバイスへの応用が期待されている。安定かつ優れた電気特性を持つSnO薄膜の成膜を可能にすべく、成膜条件の最適化が必要である。本研究では、大面積かつ均一な成膜が可能なスパッタリング法を用い、成膜時の酸素分圧をパラメータとして化学結合や結晶性、電気特性への影響を評価した。