[9a-N105-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-N105-6] Investigation of Carrier Transport Mechanism of Rare Metal-Free Oxide Thin-Film Transistors

〇Keizo Kashiba¹, Juan Paolo S. Bermundo¹, Yusaku Magari^2,3, Candell Grace P. Quino¹, Hiromichi Ohta³, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST, 2.Kochi Tech, 3.RIES-Hokudai)

Keywords:

semiconductor,thin film transistor,Rare metal free

本研究では、熱電能変調解析を用いてSi添加スズ酸化物膜のキャリア輸送機構を調べた。シートキャリア濃度が増加するにつれて、低濃度では、界面近傍のチャネル伝導帯下部でのバンドベンディングが促進され、実効チャネル厚さが増加する。しかし、高濃度では、シートキャリア濃度が増加するにつれて、実効チャネル厚さは減少し、この結果はSn濃度を変えることでキャリア輸送メカニズムが変化することを示唆している。