[9a-N105-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[9a-N105-6] レアメタルフリー酸化物薄膜トランジスタのキャリア輸送機構の調査

〇樫葉 圭蔵¹、ベルムンド フアンパオロソリア¹、曲 勇作^2,3、クイノ カンデル グレイス パレデス¹、太田 裕道³、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.高知工大、3.北大電子研)

キーワード：

半導体、薄膜トランジスタ、レアメタルフリー

本研究では、熱電能変調解析を用いてSi添加スズ酸化物膜のキャリア輸送機構を調べた。シートキャリア濃度が増加するにつれて、低濃度では、界面近傍のチャネル伝導帯下部でのバンドベンディングが促進され、実効チャネル厚さが増加する。しかし、高濃度では、シートキャリア濃度が増加するにつれて、実効チャネル厚さは減少し、この結果はSn濃度を変えることでキャリア輸送メカニズムが変化することを示唆している。