[9a-N206-1~11] 15.5 Group IV crystals and alloys

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[9a-N206-5] Observation of room temperature EL emission from strained SiGe/Ge quantum well LEDs on Ge-on-Insulator(111)

〇Shuya Kikuoka¹, Mayu Aikawa¹, Ryoga Yokoki¹, Nonoka Nagashima¹, Kenji Oki², Kohei Hamaya^2,3,4, Kentarou Sawano¹ (1.Tokyo City Univ., 2.Grad. Sch. Eng. Sci., The Univ. of Osaka., 3.CSRN, The Univ. of Osaka., 4.OTRI, The Univ. of Osaka.)

Keywords:

SiGe,Electroluminescence,GOI

近年、量子暗号化技術の重要性が高まっており、円偏光を光通信に利用する方法が提案されている。特にSi基板上にモノリシック集積化でき、通信用波長帯域にて発光可能なGeがスピンLED材料として注目されている。本研究ではGeのエピタキシャル成長と貼り合わせ手法を組み合わせたGe-on-Insulator作製法にて作製したGOI(111)上に歪みSiGe/Ge-on-Insulator (111)LEDを作製し、室温にて非常に強いEL発光を得ることに成功した。