講演情報
[9a-N206-5]GOI(111)上の歪みSiGe/Ge量子井戸LEDからの室温EL発光の観測
〇菊岡 柊也1、相川 茉由1、横木 亮河1、永嶋 野乃香1、大木 健司2、浜屋 宏平2,3,4、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大学、2.阪大基礎工、3.阪大基礎工CSRN、4.阪大OTRIスピン)
キーワード：
SiGe、EL発光、GOI
近年、量子暗号化技術の重要性が高まっており、円偏光を光通信に利用する方法が提案されている。特にSi基板上にモノリシック集積化でき、通信用波長帯域にて発光可能なGeがスピンLED材料として注目されている。本研究ではGeのエピタキシャル成長と貼り合わせ手法を組み合わせたGe-on-Insulator作製法にて作製したGOI(111)上に歪みSiGe/Ge-on-Insulator (111)LEDを作製し、室温にて非常に強いEL発光を得ることに成功した。