Presentation Information
[9a-N301-11]Low-Temperature Water Lift-Off for Sapphire Removal in Vertical UV-B LDs
〇Yuma Miyamoto1, Takumu Saito1, Yusuke Sasaki1, Seiya Kato1, Naoki Kitta1, Sho Iwayama1, Hideto Miyake2, Satoshi Kamiyama1, Tetsuya Takeuchi1, Motoaki Iwaya1 (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)
Keywords:
laser diode,AlGaN
本研究グループでは加熱・加圧水処理によりAlNピラーのエッチングを行うことでサファイア基板を剥離し、縦型UV-B LDの室温パルス発振を報告している。現在は115℃・170 kPaの条件下で加熱加圧水を用いて2時間処理を行っているが115℃で処理を行った場合、剥離表面にはAlOOH変質層が形成される。縦型LDの作製にはこの層の除去が必要である。しかし、AlOOHは化学的に安定であり、変質層の面内分布にばらつきがあるため均一な除去が困難であった。本研究では処理温度を低下させることで、より反応性の高いAl(OH)₃の生成を促進し、薬品による化学的除去を可能にすることを試みた。