講演情報
[9a-N301-11]低温加熱水処理によるAlGaN/AlN構造の水剥離と表面品質の改善
〇宮本 侑茉1、齋藤 巧夢1、佐々木 祐輔1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)
キーワード：
半導体レーザー、AlGaN
本研究グループでは加熱・加圧水処理によりAlNピラーのエッチングを行うことでサファイア基板を剥離し、縦型UV-B LDの室温パルス発振を報告している。現在は115℃・170 kPaの条件下で加熱加圧水を用いて2時間処理を行っているが115℃で処理を行った場合、剥離表面にはAlOOH変質層が形成される。縦型LDの作製にはこの層の除去が必要である。しかし、AlOOHは化学的に安定であり、変質層の面内分布にばらつきがあるため均一な除去が困難であった。本研究では処理温度を低下させることで、より反応性の高いAl(OH)₃の生成を促進し、薬品による化学的除去を可能にすることを試みた。