Presentation Information
[9a-N301-6]Development of Uni-Traveling-Carrier Photodiode Based on MoS2/GaN Heterojunction for Visible-Light Detection
〇Takuya Kadowaki1, Takahiro Serikawa1, Akihide Ichikawa1, Yuji Ohmaki1, Koji Usami1, Yoichi Kawakami1, Yoshihiro Iwasa2, Hisashi Ogawa1 (1.NICHIA Corp., 2.RIKEN CEMS)
Keywords:
GaN photodetector,UTC-PD,2D materials
UTC-PDは電子のみがキャリアとして移動するため、高い飽和電力と超高速動作の特徴をもち通信や高速オプトエレクトロニクスの分野で注目されている。しかし、より広範な応用に向け動作波長を可視領域に拡張することは、UTC-PDに必要なtype-IIバンドアライメントを満たす半導体の組み合わせが不足しているため困難である。今回我々は、光吸収層にMoS2、キャリア走行層にGaNを用いた2D/3Dヘテロ構造の新しいタイプの可視域で動作するUTC-PDを考案したので報告する。