講演情報
[9a-N301-6]MoS2/GaNヘテロ接合を用いた可視帯域動作の単一走行キャリアフォトダイオード(UTC-PD)の開発
〇門脇 拓也1、芹川 昂寛1、市川 諒英1、大巻 雄治1、宇佐見 康二1、川上 養一1、岩佐 義宏2、小川 尚史1 (1.日亜化学、2.理研 CEMS)
キーワード：
GaN 受光素子、単一走行キャリアフォトダイオード、2次元材料
UTC-PDは電子のみがキャリアとして移動するため、高い飽和電力と超高速動作の特徴をもち通信や高速オプトエレクトロニクスの分野で注目されている。しかし、より広範な応用に向け動作波長を可視領域に拡張することは、UTC-PDに必要なtype-IIバンドアライメントを満たす半導体の組み合わせが不足しているため困難である。今回我々は、光吸収層にMoS2、キャリア走行層にGaNを用いた2D/3Dヘテロ構造の新しいタイプの可視域で動作するUTC-PDを考案したので報告する。