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[9a-N301-8]Substrate exfoliation by Laser Lift-Off and surface roughening for high LEE UV-C LEDs

〇(M2)Sena Miura1, Maho Fujita1, Teppei Takehisa1, Hibiki Muto1, Kenta Takase1, Marina Fujita1, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1, Motoaki Iwaya1, Hisanori Ishiguro1, Koji Okuno1,2, Yoshiki Saito1,2 (1.Meijo Univ., 2.Toyoda Gosei)

Keywords:

UVC,AlGaN,substrate exfoliation

深紫外LEDの光取り出し効率(LEE)改善手段としてレーザーリフトオフ(LLO)による基板剥離、そして表面の粗面化が挙げられる。しかしAlGaN系深紫外LEDにおいて、粗面化による光出力向上の報告例に対し、複数回のビーム照射による基板剥離に関しては報告例がない。今回、複数回の照射による基板剥離に成功し、さらに粗面化によってLEE向上を示唆する結果を得られたため、その結果を報告する。