[9a-N301-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-N301-8] Substrate exfoliation by Laser Lift-Off and surface roughening for high LEE UV-C LEDs

〇(M2)Sena Miura¹, Maho Fujita¹, Teppei Takehisa¹, Hibiki Muto¹, Kenta Takase¹, Marina Fujita¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹, Hisanori Ishiguro¹, Koji Okuno^1,2, Yoshiki Saito^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Toyoda Gosei)

Keywords:

UVC,AlGaN,substrate exfoliation

深紫外LEDの光取り出し効率(LEE)改善手段としてレーザーリフトオフ(LLO)による基板剥離、そして表面の粗面化が挙げられる。しかしAlGaN系深紫外LEDにおいて、粗面化による光出力向上の報告例に対し、複数回のビーム照射による基板剥離に関しては報告例がない。今回、複数回の照射による基板剥離に成功し、さらに粗面化によってLEE向上を示唆する結果を得られたため、その結果を報告する。