講演情報
[9a-N301-8]高効率深紫外LEDに向けたLLOによる基板剥離および粗面化
〇(M2)三浦 聖央1、藤田 真帆1、竹久 哲平1、武藤 響己1、高瀨 健太1、藤田 麻里奈1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、石黒 永孝1、奥野 浩司1,2、齋藤 義樹1,2 (1.名城大理工、2.豊田合成(株))
キーワード：
深紫外、窒化アルミニウムガリウム、基板剥離
深紫外LEDの光取り出し効率(LEE)改善手段としてレーザーリフトオフ(LLO)による基板剥離、そして表面の粗面化が挙げられる。しかしAlGaN系深紫外LEDにおいて、粗面化による光出力向上の報告例に対し、複数回のビーム照射による基板剥離に関しては報告例がない。今回、複数回の照射による基板剥離に成功し、さらに粗面化によってLEE向上を示唆する結果を得られたため、その結果を報告する。