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10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[9a-N302-5]Genetic Algorithm Assited Searching for Stable Atomic Stuructures of Vacancy - Oxygen Complexes in RTP Wafers

〇Hiroya Iwashiro^1,2, Hibiki Bekku¹, Haruo Sudo², Ken Hayakawa², Eiji Kamiyama², Koji Sueoka³ (1.Graduate School of Computer Science and Systems Engineering, Okayama Prefectural Univ., 2.Global Wafers Japan Co., Ltd., 3.Okayama Prefectural Univ.)

Keywords:

Silicon,Vacancy - Oxygen Complex,Genetic Algorithm

SiウェーハにRapid Thermal Process (RTP)を施すと，空孔-酸素複合体 (VO₄)が生成されると推測されている．RTP前後のSiウェーハのダングリングボンド密度が変化することから，VO₄はダングリングボンドを有する構造と考えられる．そこで，遺伝的アルゴリズムと第一原理計算を併用して，VO₄の安定原子構造を探索した．その結果，ダングリングボンドが無い最安定構造の他に，エネルギー差が1eV未満であるダングリングボンドを有する準安定構造を見出した．

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