講演情報
[9a-N302-5]遺伝的アルゴリズムを用いたRTPウェーハ内の空孔-酸素複合体の安定原子構造探索
〇岩城 浩也1,2、別宮 響1、須藤 治生2、早川 兼2、神山 栄治2、末岡 浩治3 (1.岡山県大院情報系工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン（株）、3.岡山県大情報工)
キーワード：
シリコン、空孔-酸素複合体、遺伝的アルゴリズム
SiウェーハにRapid Thermal Process (RTP)を施すと，空孔-酸素複合体 (VO4)が生成されると推測されている．RTP前後のSiウェーハのダングリングボンド密度が変化することから，VO4はダングリングボンドを有する構造と考えられる．そこで，遺伝的アルゴリズムと第一原理計算を併用して，VO4の安定原子構造を探索した．その結果，ダングリングボンドが無い最安定構造の他に，エネルギー差が1eV未満であるダングリングボンドを有する準安定構造を見出した．