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10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)

[9a-N302-6]First-principles analysis of stability of dopant atoms inside Si {311} defect

〇Eiji Kamiyama^1,2, Yuta Nagai¹, Koji Izunome^1,2, Koji Sueoka² (1.GlobalWafers Japan Co., Ltd., 2.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:

silicon,Dopant,First Principles Calculation

昨今のシリコンデバイス製造において，ドーパントのイオン注入が多用され，その後の結晶性回復熱処理時に， {311}欠陥として知られる格子間Siの凝集体が発生する．現在集積化の進んだプロセスでは，ドーパント領域の高濃度化が進行しており， {311}欠陥の近傍に多くのドーパント原子が存在しているはずである．そこで本報告では，B/Pがシリコン{311}欠陥に取り込まれるかどうかについて，第一原理計算を用いて検討した結果を報告する．

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