講演情報
[9a-N302-6]シリコン{311}欠陥内におけるドーパント原子安定性の第一原理解析
〇神山 栄治1,2、永井 勇太1、泉妻 宏冶1,2、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大情報工)
キーワード：
シリコン、ドーパント、第一原理計算
昨今のシリコンデバイス製造において，ドーパントのイオン注入が多用され，その後の結晶性回復熱処理時に， {311}欠陥として知られる格子間Siの凝集体が発生する．現在集積化の進んだプロセスでは，ドーパント領域の高濃度化が進行しており， {311}欠陥の近傍に多くのドーパント原子が存在しているはずである．そこで本報告では，B/Pがシリコン{311}欠陥に取り込まれるかどうかについて，第一原理計算を用いて検討した結果を報告する．