[9a-N305-1~11] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[9a-N305-7] Effect of the number of GaAs layers on N distribution in GaAsN/GaAs superlattice thin films fabricated by ALE method.

〇Toranosuke Takeo¹, Koto Hayato¹, Suzuki Hidetoshi¹, Kawano Masahiro² (1.Miyazaki Univ., 2.Toyota Inst.)

Keywords:

III-V nitride semiconductor,GaAsN/GaAs,superlattice thin film

本研究では、高効率太陽電池材料GaAsNにおけるN分布の不均一化の対策のために、高輝度なX線が利用可能な放射光を用いた逆格子マッピング測定により、ALE法を用いて作製されたGaAsN/GaAs超構造薄膜におけるN分布とGaAs層数が及ぼす影響を明らかにすることを目的とする。