講演情報
[9a-N305-7]ALE法で作製されたGaAsN/GaAs超構造薄膜におけるGaAs層数のN分布への影響
〇竹尾 虎之助1、古藤 隼人1、鈴木 秀俊1、河野 将大2 (1.宮大工、2.豊工大)
キーワード：
III-V族窒化物半導体、GaAsN/GaAs、超構造薄膜
本研究では、高効率太陽電池材料GaAsNにおけるN分布の不均一化の対策のために、高輝度なX線が利用可能な放射光を用いた逆格子マッピング測定により、ALE法を用いて作製されたGaAsN/GaAs超構造薄膜におけるN分布とGaAs層数が及ぼす影響を明らかにすることを目的とする。