[9a-N322-1~8] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[9a-N322-1] Investigation of InP-HEMT degradation mechanism during the back-end process

〇Taro Sasaki¹, Hiroki Sugiyama¹, Yuki Yoshiya¹, Takuya Hoshi¹, Yasuyuki Miyamoto², Fumito Nakajima¹ (1.NTT Device Technology Labs., 2.Inst. of Science Tokyo)

Keywords:

InP-HEMT,back-end process,MMIC

本講演では、我々のInP-HEMT IC後工程プロセスにおけるデバイス特性の劣化機構について報告する。