[9a-N322-1~8] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:00 〜 10:15

[9a-N322-1] InP-HEMT ICの配線工程におけるデバイス特性劣化機構の考察

〇佐々木 太郎¹、杉山 弘樹¹、吉屋 佑樹¹、星 拓也¹、宮本 恭幸²、中島 史人¹ (1.NTT先デ研、2.東京科学大)

キーワード：

InP-HEMT、後工程、MMIC

本講演では、我々のInP-HEMT IC後工程プロセスにおけるデバイス特性の劣化機構について報告する。