[9a-N322-1~8] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[9a-N322-4] Luminescence study of GaN implanted with low-dose Si, Al, and N ions

〇Kohei Shima¹, Masahiro Horita^2,3, Jun Suda^2,3, Shoji Ishibashi⁴, Akira Uedono⁵, Shigefusa Chichibu¹ (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.Nagoya Univ., 3.IMaSS-Nagoya Univ., 4.CCS-Univ. of Tsukuba, 5.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

GaN,Ion implantation,Photoluminescence

低濃度(10¹⁴ cm^-3台)Siイオン注入GaN(I/I-GaN:Si)においては、アニール後にSi濃度を一桁上回るドナー性欠陥が残留することが報告されており、Si-I/I誘起欠陥の理解・制御が不可欠である。本講演では、I/I種(Si、Al、N)およびアニール温度(T_a)等の条件が、低ドーズI/I-GaNのMGRCに与える影響を、フォトルミネッセンス(PL)法および時間分解PL法により評価した結果を報告する。