[9a-N322-1~8] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:45 〜 11:00

[9a-N322-4] 低ドーズSi, Al, Nイオン注入GaNのルミネッセンス評価

〇嶋 紘平¹、堀田 昌宏^2,3、須田 淳^2,3、石橋 章司⁴、上殿 明良⁵、秩父 重英¹ (1.東北大多元研、2.名大工、3.名大IMaSS、4.筑波大CCS、5.筑波大数物系)

キーワード：

窒化ガリウム、イオン注入、フォトルミネッセンス

低濃度(10¹⁴ cm^-3台)Siイオン注入GaN(I/I-GaN:Si)においては、アニール後にSi濃度を一桁上回るドナー性欠陥が残留することが報告されており、Si-I/I誘起欠陥の理解・制御が不可欠である。本講演では、I/I種(Si、Al、N)およびアニール温度(T_a)等の条件が、低ドーズI/I-GaNのMGRCに与える影響を、フォトルミネッセンス(PL)法および時間分解PL法により評価した結果を報告する。