Presentation Information
[9a-N406-6]Dependence of Etching Rate on Ion Energy for KOH Etching of Amorphized Si Etching Mask Formed by N+ Irradiation
〇Mina Sato1, Mie Tohnishi1, Akihiro Matsutani1 (1.Science Tokyo RIM)
Keywords:
KOH,Amorphous,ECR ion shower
我々はこれまでSiのKOHエッチングにおいて，イオンの照射により作製したアモルファス化マスクで高いエッチングレート比を得られることを示してきた．特にSi(100)面に500 eVのN+照射によりアモルファス化したマスクを用いることで高さ30 μmを超えるSi構造体を作製できた．そこで本発表では，30 μmを超えるSi構造体の作製を目指し，より高エネルギーのN+照射の利用した実験の結果を報告する．