講演情報
[9a-N406-6]N+照射により形成したアモルファス化SiエッチングマスクのKOHエッチングに対するエッチング速度のイオンエネルギー依存性
〇佐藤 美那1、遠西 美重1、松谷 晃宏1 (1.Science Tokyo RIM)
キーワード：
KOH、アモルファス、ECRイオンシャワー
我々はこれまでSiのKOHエッチングにおいて，イオンの照射により作製したアモルファス化マスクで高いエッチングレート比を得られることを示してきた．特にSi(100)面に500 eVのN+照射によりアモルファス化したマスクを用いることで高さ30 μmを超えるSi構造体を作製できた．そこで本発表では，30 μmを超えるSi構造体の作製を目指し，より高エネルギーのN+照射の利用した実験の結果を報告する．