Presentation Information
[9a-S203-5]Spectroscopic ellipsometry characterization of SiP film for nano-sheet FET process
〇Naoto Kumagai1, Toshifumi Irisawa1, Yoshihiro Hayashi1 (1.SFRC, AIST)
Keywords:
nano-sheet FET,GAAFET,SiP
微細化が進むGAAFET等のナノシートFETにおいて接触抵抗の低減は重要な課題の一つであり、近年ではNMOSの低抵抗S/D形成にはSiPの選択成長が用いられている。P濃度は～1×1021cm-3程度とat%オーダーであり、従来のドーピングで用いられてきた濃度より1桁以上高く、物性面でも興味を持たれている。分光エリプソメトリーやOCDに必要な光学定数 (誘電関数)はドーピングにより変化する事が知られているが、～1×1021cm-3のような高濃度域ではあまり調べられていない。本研究ではSiPを成長し、分光エリプソメトリー測定を行い、光学定数をパラメータとしたfittingにより光学定数を見積もり、その光学定数を用いて膜厚を評価し検証した。