[9a-S203-1~10] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[9a-S203-9] Demonstration of Integrate-and-Fire Operation using “GCCI SOI-Tr” with Gate Input Method

〇Haruki Yonezaki^1,2, Takayuki Mori¹, Jiro Ida¹ (1.Kanazawa Inst. of Tech., 2.KIOXIA Corp.)

Keywords:

SOI,Integrate-and-Fire model,Floating Body Effect

本稿ではゲートを入力とした Gate-Controlled Carrier-Injection Silicon-on-Insulator Transistor (GCCI SOI-Tr)を利用してニューロンのモデルである Integrate-and-Fire (IF)動作の確認を試みた. 本デバイスは急峻なサブスレッショルドスロープ (SS) を持つデバイスであり, ゲートを入力として利用することで低電圧動作と高い入力インピーダン スを実現できると考えられる.