[9a-S203-1~10] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

11:15 〜 11:30

[9a-S203-9] "GCCI SOI-Tr"を利用したゲート入力方式によるIF動作の実証

〇米崎 晴貴^1,2、森 貴之¹、井田 次郎¹ (1.金沢工大、2.キオクシア株式会社)

キーワード：

SOI、積分発火モデル、基板浮遊効果

本稿ではゲートを入力とした Gate-Controlled Carrier-Injection Silicon-on-Insulator Transistor (GCCI SOI-Tr)を利用してニューロンのモデルである Integrate-and-Fire (IF)動作の確認を試みた. 本デバイスは急峻なサブスレッショルドスロープ (SS) を持つデバイスであり, ゲートを入力として利用することで低電圧動作と高い入力インピーダン スを実現できると考えられる.