[9p-N105-1~21] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N105-13] Controlling the Conductivity of F-doped β-Ga₂O₃ by Mist CVD

〇Ichiro Seike¹, Hiroki Miyake^1,2, Hiroyuki Nishinaka¹ (1.Kyoto Inst. Tech, 2.MIRISE Corp.)

Keywords:

Ga2O3,MistCVD

β-Ga₂O₃において、Si,Sn,Ge等のGa側と置換するドーパントは研究が進んでいる一方で、FのようなO側と置換するドーパントはあまり報告例がない。そこで本研究ではミストCVDを用いてFドープβ-Ga₂O₃薄膜の導電性制御を行った。いずれのサンプルもRMS rougnessかが1nm以下と高い表面平坦性を示し、キャリア濃度は1.1×10¹⁷cm^-3から2.3×10¹⁹cm^-3の間で制御された。