[9p-N105-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[9p-N105-13] ミストCVDを用いたFドープによるβ-Ga₂O₃の導電性制御

〇清家 一朗¹、三宅 裕樹^1,2、西中 浩之¹ (1.京工繊大、2.ミライズ)

キーワード：

酸化ガリウム、ミストCVD

β-Ga₂O₃において、Si,Sn,Ge等のGa側と置換するドーパントは研究が進んでいる一方で、FのようなO側と置換するドーパントはあまり報告例がない。そこで本研究ではミストCVDを用いてFドープβ-Ga₂O₃薄膜の導電性制御を行った。いずれのサンプルもRMS rougnessかが1nm以下と高い表面平坦性を示し、キャリア濃度は1.1×10¹⁷cm^-3から2.3×10¹⁹cm^-3の間で制御された。