[9p-N105-1~21] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N105-14] Epitaxial Growth and Structural Characterization of Nb-Doped (Ga_xIn_1-x)₂O₃ Solid Solutions by Pulsed Laser Deposition

〇(M1)Masaharu Watanabe^1,2, Atsushi Ogura^1,3, Toyohiro Chikyow², Takahiro Nagata^2,1 (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.MREL)

Keywords:

Gallium Oxide,Indium Oxide,wide band gap

純粋なβ型酸化ガリウムは酸素空孔のイオン化エネルギーが高く、電気伝導への寄与が小さいため、ドーピングによるキャリア制御が一般的である。しかしGa-O結合の強いイオン性により置換とキャリア活性化が困難である。先行研究では、In組成0.3以下の(Ga_xIn_1-x)₂O₃ではβ相を保ちつつn型ドーピングに適した構造が得られると報告されている。本発表では(Ga_xIn_1-x)₂O₃へNbドープしたときの結晶構造解析と電気特性への影響について議論する。