[9p-N105-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[9p-N105-14] PLD法によるNbドープ(Ga_xIn_1-x)₂O₃固溶体の結晶成長及び構造評価

〇(M1)渡邉 允晴^1,2、小椋 厚志^1,3、知京 豊裕²、長田 貴弘^2,1 (1.明大理工、2.物材機構、3.明大MREL)

キーワード：

酸化ガリウム、酸化インジウム、ワイドバンドギャップ

純粋なβ型酸化ガリウムは酸素空孔のイオン化エネルギーが高く、電気伝導への寄与が小さいため、ドーピングによるキャリア制御が一般的である。しかしGa-O結合の強いイオン性により置換とキャリア活性化が困難である。先行研究では、In組成0.3以下の(Ga_xIn_1-x)₂O₃ではβ相を保ちつつn型ドーピングに適した構造が得られると報告されている。本発表では(Ga_xIn_1-x)₂O₃へNbドープしたときの結晶構造解析と電気特性への影響について議論する。