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5:45 PM - 6:00 PM JST(8:45 AM - 9:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N105-17]Vertical Schottky barrier diodes with r-GeO₂ epilayers grown on graded (Ge_xSn_1-x)O₂ buffer layers on TiO₂ substrate

〇Kazutaka Kanegae¹, Kazuki Shimazoe², Ichiro Seike¹, Hiroyuki Nishinaka¹ (1.Kyoto Inst. of Tech., 2.Nagoya Inst. of Tech.)

r-GeO2,Schottky barreir diode

本研究では、r-GeO₂エピタキシャル成長を用いて縦型Schottky障壁ダイオード(SBD)を作製し、r-GeO₂エピタキシャル成長層の電気的特性とSBDのデバイス特性を評価したので報告する。