[9p-N105-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

17:45 〜 18:00奨励賞エントリー

[9p-N105-17] 傾斜バッファ層/TiO₂基板上のルチル構造酸化ゲルマニウムエピタキシャル成長層を用いた縦型Schottky障壁ダイオード

〇鐘ヶ江 一孝¹、島添 和樹²、清家 一朗¹、西中 浩之¹ (1.京都工繊大、2.名工大)

キーワード：

r-GeO2、Schottky障壁ダイオード

本研究では、r-GeO₂エピタキシャル成長を用いて縦型Schottky障壁ダイオード(SBD)を作製し、r-GeO₂エピタキシャル成長層の電気的特性とSBDのデバイス特性を評価したので報告する。