[9p-N105-1~21] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

6:00 PM - 6:15 PM JST(9:00 AM - 9:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N105-18] Carrier trapping energy levels in β-Ga₂O₃ observed by carrier lifetime measurements

〇Takuma Ishihara¹, Kazuki Shimazoe¹, Kohei Sasaki², Masashi Kato¹ (1.NITech, 2.Novel Crystal Technology, Inc.)

Keywords:

Gallium oxide,Time-resolved photoluminescence

高耐圧なパワーデバイスに向けた材料として注目を集めているβ酸化ガリウムにおいてキャリア寿命測定を実施し、キャリア捕獲準位の評価を行った。