[9p-N105-1~21] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

6:15 PM - 6:30 PM JST(9:15 AM - 9:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N105-19] Killer Defects, a Combination of Stacking Faults, Microcracks, and Dislocation Networks in (001)HVPE-grown Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes

〇(M1)Makoto Sato¹, Masanori Eguchi², Saha Niloy Chandra¹, Rao Badari³, Chia Hon Lin³, Kohei Sasaki³, Makoto Kasu¹ (1.Dept.Sci.and Eng.,Saga Univ, 2.Saga Univ Synchrotron, 3.NCT,Inc.)

Keywords:

Killer Defects,Ga2O3,Emission microscope

我々はこれまでに，高感度エミッション顕微鏡およびシンクロトロンX線トポグラフィを用いてEFG(Edge-defined Film-fed Growth)基板にHVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)成長したβ型酸化ガリウム縦型ショットキーバリアダイオード(SBD)のキラー欠陥の同定やリーク電流のメカニズムを明らかにしてきた。本報では，SBD表面の電子顕微鏡観察により，HVPE膜中に発生した積層欠陥，マイクロクラック，転位網の複数種の欠陥がキラー欠陥であることを見出したので報告する．