Presentation Information
[9p-N105-19]Killer Defects, a Combination of Stacking Faults, Microcracks, and Dislocation Networks in (001)HVPE-grown Ga2O3 Schottky Barrier Diodes
〇(M1)Makoto Sato1, Masanori Eguchi2, Saha Niloy Chandra1, Rao Badari3, Chia Hon Lin3, Kohei Sasaki3, Makoto Kasu1 (1.Dept.Sci.and Eng.,Saga Univ, 2.Saga Univ Synchrotron, 3.NCT,Inc.)
Keywords:
Killer Defects,Ga2O3,Emission microscope
我々はこれまでに,高感度エミッション顕微鏡およびシンクロトロンX線トポグラフィを用いてEFG(Edge-defined Film-fed Growth)基板にHVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)成長したβ型酸化ガリウム縦型ショットキーバリアダイオード(SBD)のキラー欠陥の同定やリーク電流のメカニズムを明らかにしてきた。本報では,SBD表面の電子顕微鏡観察により,HVPE膜中に発生した積層欠陥,マイクロクラック,転位網の複数種の欠陥がキラー欠陥であることを見出したので報告する.