講演情報

18:15 〜 18:30奨励賞エントリー

[9p-N105-19]積層欠陥・マイクロクラック・転位網組み合わせの(001)面方位HVPEβ型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードキラー欠陥

〇(M1)佐藤誠¹、江口正徳²、サハ　ニロイチャンドラ¹、ラオバダリ³、林家弘³、佐々木公平³、嘉数誠¹ (1.佐賀大院理工、2.佐賀大シンクロトロン、3.(株)ノベルクリスタル)

キーワード：

キラー欠陥、酸化ガリウム、エミッション顕微鏡

我々はこれまでに，高感度エミッション顕微鏡およびシンクロトロンX線トポグラフィを用いてEFG(Edge-defined Film-fed Growth)基板にHVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)成長したβ型酸化ガリウム縦型ショットキーバリアダイオード(SBD)のキラー欠陥の同定やリーク電流のメカニズムを明らかにしてきた。本報では，SBD表面の電子顕微鏡観察により，HVPE膜中に発生した積層欠陥，マイクロクラック，転位網の複数種の欠陥がキラー欠陥であることを見出したので報告する．

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