Presentation Information
[9p-N105-2]Photocapacitance Measurement of Ga2O3 Thin Films Grown by Low-Pressure Hot-Wall MOVPE
〇(M2)Jun Morihara1, Tsukasa Kakio1, Junya Yoshinaga2,3, Takafumi Kamimura4, Yoshinao Kumagai2, Masataka Higashiwaki1,4 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.Tokyo Univ. of Agric. and Tech., 3.TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION, 4.NICT)
Keywords:
Gallium Oxide,MOVPE,High-Temperature Annealing
本研究では減圧ホットウォールMOVPE成長したSiドープGa2O3薄膜への高温アニール処理 (PDA) の影響を調査するため、フォトキャパシタンス (PHCAP) 測定を行った。PHCAPより算出したトラップ密度 (Nt) はPDA無しエピ基板では小さく、PDA有りエピ基板ではEc – 3.5 eV付近にNt ~ 1 × 1015 cm-3ほどのトラップが存在することが観測された。この結果は高温PDAによりEc － 3.5 eV付近に新たにトラップが生成されたことを示唆している。