[9p-N105-1~21] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N105-2] Photocapacitance Measurement of Ga₂O₃ Thin Films Grown by Low-Pressure Hot-Wall MOVPE

〇(M2)Jun Morihara¹, Tsukasa Kakio¹, Junya Yoshinaga^2,3, Takafumi Kamimura⁴, Yoshinao Kumagai², Masataka Higashiwaki^1,4 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.Tokyo Univ. of Agric. and Tech., 3.TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION, 4.NICT)

Keywords:

Gallium Oxide,MOVPE,High-Temperature Annealing

本研究では減圧ホットウォールMOVPE成長したSiドープGa₂O₃薄膜への高温アニール処理 (PDA) の影響を調査するため、フォトキャパシタンス (PHCAP) 測定を行った。PHCAPより算出したトラップ密度 (N_t) はPDA無しエピ基板では小さく、PDA有りエピ基板ではE_c – 3.5 eV付近にN_t ~ 1 × 10¹⁵ cm^-3ほどのトラップが存在することが観測された。この結果は高温PDAによりE_c － 3.5 eV付近に新たにトラップが生成されたことを示唆している。