講演情報
[9p-N105-2]減圧ホットウォールMOVPE成長したGa2O3薄膜のフォトキャパシタンス測定
〇(M2)森原 淳1、垣尾 宗1、吉永 純也2,3、上村 崇史4、熊谷 義直2、東脇 正高1,4 (1.大阪公立大院工、2.東京農工大院工、3.大陽日酸、4.情通機構)
キーワード：
酸化ガリウム、MOVPE、高温アニール
本研究では減圧ホットウォールMOVPE成長したSiドープGa2O3薄膜への高温アニール処理 (PDA) の影響を調査するため、フォトキャパシタンス (PHCAP) 測定を行った。PHCAPより算出したトラップ密度 (Nt) はPDA無しエピ基板では小さく、PDA有りエピ基板ではEc – 3.5 eV付近にNt ~ 1 × 1015 cm-3ほどのトラップが存在することが観測された。この結果は高温PDAによりEc － 3.5 eV付近に新たにトラップが生成されたことを示唆している。