[9p-N105-1~21] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N105-3] Thermal Diffusion of Nitrogen Atoms in Nitrogen-Doped Ga₂O₃ Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy

〇(M2)Jin Inajima¹, Tomoki Uehara¹, Kohki Tsujimoto¹, Yusuke Teramura¹, Satoko Honda¹, Masataka Higashiwaki^1,2 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.NICT)

Keywords:

Gallium oxide,MBE

本研究では、分子線エピタキシー成長した窒素 (N) ドープGa₂O₃薄膜中のN原子が、Ga₂O₃結晶に取り込まれ、結合に寄与しているのか否かを調査した。高温アニール後、MBE薄膜中のN濃度はアニール前と比較して60% – 70%であることから、N原子の半分以上は結晶中へ取り込まれていると考えられる。また、残りのN原子は格子間に存在し、高温アニールにより基板側へ拡散することも確認した。