講演情報
[9p-N105-3]MBE成長した窒素ドープGa2O3薄膜中の窒素原子の熱拡散
〇(M2)稲嶌 仁1、上原 知起1、辻本 晃基1、寺村 祐輔1、本田 智子1、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
キーワード：
酸化ガリウム、MBE
本研究では、分子線エピタキシー成長した窒素 (N) ドープGa2O3薄膜中のN原子が、Ga2O3結晶に取り込まれ、結合に寄与しているのか否かを調査した。高温アニール後、MBE薄膜中のN濃度はアニール前と比較して60% – 70%であることから、N原子の半分以上は結晶中へ取り込まれていると考えられる。また、残りのN原子は格子間に存在し、高温アニールにより基板側へ拡散することも確認した。