[9p-N105-1~21] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N105-4] Structural and Electrical Characterization of n-Ga₂O₃ (010) Substrate doped with Nitrogen by Reactive Ion Etching

〇(M2)Akimasa Mineyama¹, Masataka Higashiwaki^1,2 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.NICT)

Keywords:

Gallium Oxide,Reactive Ion Etching

本研究では、反応性イオンエッチングを用いてGa₂O₃への窒素 (N) ドーピングを試みた。二次イオン質量分析より、試料表面から深さ30–50 nmまで高濃度Nドーピングが実現していることが分かった。また、導入されたN原子は、高温アニールにて熱拡散することが可能である。さらに、静電容量–電圧特性から、ドーピングされたNが電気的に活性であることを確認した。