講演情報
[9p-N105-4]反応性イオンエッチングにより窒素ドープしたn-Ga2O3 (010) 基板の構造および電気的特性評価
〇(M2)峰山 滉正1、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
キーワード：
酸化ガリウム、反応性イオンエッチング
本研究では、反応性イオンエッチングを用いてGa2O3への窒素 (N) ドーピングを試みた。二次イオン質量分析より、試料表面から深さ30–50 nmまで高濃度Nドーピングが実現していることが分かった。また、導入されたN原子は、高温アニールにて熱拡散することが可能である。さらに、静電容量–電圧特性から、ドーピングされたNが電気的に活性であることを確認した。