Presentation Information

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N105-6]Fabrication of nitrogen doped Ga₂O₃thin films by rf plasma-assisted ALD and the electrical characterization

〇Shodai Ata¹, Katsuhiro Furukawa¹, Hisashi Soma¹, Takeshi Yoshimura¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Metro. Univ.)

ALD,N doped Ga2O3

本研究では、rf窒素プラズマ支援ALD法による窒素ドープGa₂O₃薄膜の成長に取り組んだ。高反応性窒素種を生成する独自装置を用い、基板に対してNドープ薄膜成長を実現する手法の確立と電気的特性の変化を評価する。