講演情報

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[9p-N105-6]Ga₂O₃薄膜のrf窒素プラズマ支援ALD成長とその電気特性評価

〇阿多翔大¹、古川勝裕¹、相馬永¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪公立大工)

ALD、NドープGa2O3

本研究では、rf窒素プラズマ支援ALD法による窒素ドープGa₂O₃薄膜の成長に取り組んだ。高反応性窒素種を生成する独自装置を用い、基板に対してNドープ薄膜成長を実現する手法の確立と電気的特性の変化を評価する。