Presentation Information
[9p-N105-7]Analysis of electronic structure of Hf-based ferroelectric/β-Ga2O3 interface
〇Katsuhiro K Furukawa1, Shodai Ata1, Takeshi Yoshimura1, Norifumi Fujimura1 (1.Osaka Metro. Univ.)
Keywords:
Wide band gap semiconductor,Ferroelectric
酸化ガリウムは、4.7–4.9 eVの大きなバンドギャップを有し、8 MV/cmもの高い絶縁破壊電界と優れたバリガの性能指数を示すことから、次世代パワー半導体として注目されている 。また、Hf系強誘電体は、3 nm程度の極薄膜で強誘電性を示すことから、高集積強誘電体ゲートトランジスタ(FeFET)への応用が期待されている。今回は、同一チャンバー内で酸化ガリウム上への窒素照射を行うことのできる新たなALD装置を用いて試料を作製し、裏面電極や界面窒化、およびHfO2の相形成が界面電子構造に及ぼす影響について、電気的測定を用いて解析した結果について報告する。