講演情報
[9p-N105-7]Hf系強誘電体/WBG半導体β-Ga2O3界面電子構造の解析
〇古川 勝裕1、阿多 翔大1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.阪公大工)
キーワード：
ワイドバンドギャップ半導体、強誘電体
酸化ガリウムは、4.7–4.9 eVの大きなバンドギャップを有し、8 MV/cmもの高い絶縁破壊電界と優れたバリガの性能指数を示すことから、次世代パワー半導体として注目されている 。また、Hf系強誘電体は、3 nm程度の極薄膜で強誘電性を示すことから、高集積強誘電体ゲートトランジスタ(FeFET)への応用が期待されている。今回は、同一チャンバー内で酸化ガリウム上への窒素照射を行うことのできる新たなALD装置を用いて試料を作製し、裏面電極や界面窒化、およびHfO2の相形成が界面電子構造に及ぼす影響について、電気的測定を用いて解析した結果について報告する。