Presentation Information
[9p-N105-8]Structure analysis by S/TEM for β-Ga2O3 epitaxial films deposited on diamond substrates
〇(M2)Itsuki Misono1, Sho Nekita1, Hongye Gao2, Yuto Ikegami1, Sreenath M. V.1, Yixin Wang1, Yuki Katamune3, A. Zkria1, Tsuyoshi Yoshitake1 (1.IGSES, Kyushu Univ., 2.URC, Kyushu Univ., 3.Kyushu Inst. Technol.)
Keywords:
Heteroepitaxy,Transmission electron microscopy,Wide bandgap semiconductor
β-Ga2O3はワイドバンドや高い絶縁破壊電界を有することから次世代パワーデバイスへの応用が期待されている。一方、β-Ga2O3は熱伝導率が極めて低い。そこで当研究室では、熱伝導率が物質中最高の熱伝導率を有するダイヤモンドとのヘテロ構造により、本問題の解決に取り組んできた。本発表ではダイヤモンド基板上にエピタキシャル成長させたβ-Ga2O3膜に対する、S/TEMを用いた構造解析の結果について報告する。