講演情報
[9p-N105-8]ダイヤモンド基板上に成膜したエピタキシャル成長β-Ga2O3のS/TEMによる構造解析
〇(M2)御園 樹1、根北 翔1、高 紅叶2、池上 悠登1、Sreenath M. V.1、王 毅心1、片宗 優貴3、A. Zkria1、吉武 剛1 (1.九大院総理工、2.九大超顕微、3.九工大工)
キーワード：
ヘテロエピタキシー、透過型電子顕微鏡、ワイドバンドギャップ半導体
β-Ga2O3はワイドバンドや高い絶縁破壊電界を有することから次世代パワーデバイスへの応用が期待されている。一方、β-Ga2O3は熱伝導率が極めて低い。そこで当研究室では、熱伝導率が物質中最高の熱伝導率を有するダイヤモンドとのヘテロ構造により、本問題の解決に取り組んできた。本発表ではダイヤモンド基板上にエピタキシャル成長させたβ-Ga2O3膜に対する、S/TEMを用いた構造解析の結果について報告する。