Presentation Information
[9p-N105-9]Effect of Si-doping on crystallinity of β-Ga2O3 films deposited on single crystalline diamond (111) substrates
〇Yuto Ikegami1, Sreenath M. V.1, Yixin Wang1, Itsuki Misono1, Yuki Katamune2, Hiroshi Naragino1, Shinya Ohmagari3, Taisuke Kageura3, A. Zkria1, Tsuyoshi Yoshitake1 (1.IGSES, Kyushu Univ., 2.Kyushu Inst. Technol., 3.AIST)
Keywords:
oxide semiconductor,gallium oxide
β-Ga2O3はウルトラワイドバンドギャップや高絶縁破壊電界強度を有する次世代半導体材料である。しかし、熱伝導率が低く、p型伝導の実現が困難である。本研究では、pn接合ダイオードの作製に向けて、Siドープターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタリング法により成膜したβ-Ga2O3膜の結晶構造変化について議論する。