講演情報
[9p-N105-9]Siドーピングが単結晶ダイヤモンド(111)基板上に成膜したβ-Ga2O3膜の結晶性に与える影響
〇池上 悠登1、Sreenath M. V.1、王 毅心1、御園 樹1、片宗 優貴2、楢木野 宏1、大曲 新矢3、蔭浦 泰資3、A. Zkria1、吉武 剛1 (1.九大総理工、2.九工大工、3.産総研)
キーワード：
酸化物半導体、酸化ガリウム
β-Ga2O3はウルトラワイドバンドギャップや高絶縁破壊電界強度を有する次世代半導体材料である。しかし、熱伝導率が低く、p型伝導の実現が困難である。本研究では、pn接合ダイオードの作製に向けて、Siドープターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタリング法により成膜したβ-Ga2O3膜の結晶構造変化について議論する。