[9p-N206-1~15] 6.3 Oxide electronics

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)

[9p-N206-10] Crystalline phase control of mist-CVD-derived VO₂ thin films by cooling rate

〇Daiki Takayama¹, Hironori Fujisawa¹, Seiji Nakashima¹, Ai I. Osaka¹ (1.Univ. of Hyogo)

Keywords:

vanadium oxide,mist CVD

二酸化バナジウム(VO₂)は，金属絶縁体相転移(MIT)によって電気的・光学的性質が劇的に変化する魅力的な材料である ．その物性は薄膜の微細構造に大きく影響され，熱酸化プロセ スにおける冷却速度は薄膜の微細構造を制御できることが報告されている ．本研究では，ミストCVD法における成膜後の冷却速度によるVO₂薄膜の結晶相と微細構造の制御を検討した．